| 描述 | EMI/RFI 抑制器及铁氧体 1206 220ohm +/-25% DCR 0.35ohm | 容差 | 25 % |
|---|---|---|---|
| 最大直流电流 | 150 mAmps | 最大直流电阻 | 0.35 Ohms |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C | 封装 / 箱体 | 1206 (3216 metric) |
| 端接类型 | SMD/SMT | 封装 | Reel |
| 屏蔽 | Unshielded | Standard Pack Qty | 4000 |
| 测试频率 | 100 MHz |
【NXP Semiconductors】BLA6G1011-200R,112,TRANS PWR LDMOS 200W SOT502A
【NXP Semiconductors】BLA6G1011L-200RG,1,射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
【NXP Semiconductors】BLA6G1011L-200RG,112,TRANS PWR LDMOS 200W SOT502
【NXP Semiconductors】BLA6G1011LS-200RG,,射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
【NXP Semiconductors】BLA6G1011LS-200RG,112,TRANS PWR LDMOS 200W SOT502
