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BLF177CR

描述射频MOSFET电源晶体管 VDMOS TNS增益19 dB
输出功率150 W汲极/源极击穿电压125 V
漏极连续电流16 A闸/源击穿电压+/- 20 V
最大工作温度+ 150 C封装 / 箱体SOT-121B
封装Tube安装风格SMD/SMT
功率耗散220 W工厂包装数量20
零件号别名BLF177CR,112

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