| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | 漏极连续电流 | 4.5 A |
|---|---|---|---|
| 闸/源击穿电压 | +/- 15 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | LDMOST-3 | 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 65 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品类型 | MOSFET Power | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.3 Ohms |
| 工厂包装数量 | 20 | 零件号别名 | BLF3G21-30,112 |
【NXP Semiconductors】BLF3G21-30,112,BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT467C
【NXP Semiconductors】BLF3G21-6,112,BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A
【NXP Semiconductors】BLF3G21-6,135,TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT538A
【NXP Semiconductors】BLF3G22-30,112,TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608
【NXP Semiconductors】BLF3G22-30,135,TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608
【NXP Semiconductors】BLF404,115,TRANSISTOR UHF PWR DMOS SOT409A
【NXP Semiconductors】BLF4G10-160,112,TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
【NXP Semiconductors】BLF4G10LS-120,112,BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B