描述 | 射频MOSFET电源晶体管 1200W, HF-500MHz | 漏极连续电流 | 88 A |
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闸/源击穿电压 | 11 V | 最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SOT502B | 封装 | Bulk |
最小工作温度 | - 65 C | 安装风格 | SMD/SMT |
产品类型 | RF MOSFET Power | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.07 Ohms |
blf578产品主要应用于激光、医疗领域,在离子加速器,调频广播、数字电视发射机等方面也有广泛的应用。blf578近期价格起伏不是很大,原装正品的价格稳定在1800元/pcs-2000元/pcs这一价格区间内,量大价优,部分商家反映库存不足。 产品型号:blf578 所属类型:射频功率管 制造商:nxp 封装类型:sot539a 产品详细参数 产品种类:rfmosfet小信号 rohs:是 配置:dualcommonsource 晶体管极性:n-channel 电阻汲极/源极rds(导通):0.07ohms 汲极/源极击穿电压:110v 闸/源击穿电压:11v 漏极连续电流:88a 最大工作温度:+225℃ 安装风格:smd/smt 封装/箱体:sot502b 封装:bulk 最小工作温度:-65℃ 零件号别名:934063155112 ...
功率和射频小信号方案。这些方案能够广泛用于广播、通讯、卫星和电视传播中。恩智浦以射频市场的技术领先优势,不断为客户提供功能强大、高效实用的解决方案。 本届ccbn恩智浦展出的射频功率演示中,blf888a功率放大器是能够支持470 - 860mhz完整超高频带dvb-t信号,平均输出功率120w,效率可达31%以上。21db高增益、出色的线性度和耐用性(驻波比vswr> 40:1)使blf888a成为dvb-t等高级数字发射机应用的理想选择。此外还展出了可用于工业,科学,医疗及广播发射机的blf578功率放大器。 在恩智浦的展位上还可以看到今日全球最新发布的 blf888b doherty 功率放大器参考设计。这款产品是超高频 (uhf) 和fm广播产品组合的最新成员,实现了突破性的50%的地面数字视频广播 (dvb-t) 效率,可显著降低uhf广播系统功耗。 恩智浦半导体大中华区rf功率和基站高级区域营销经理卓英浩表示:“凭借我们的最新产品,恩智浦以创新性uhf广播dvb-t解决方案,满足了市场对于更高漏极效率、更高输出功率以及更优质频段的需求。” 此外低功耗高性能的射频 ...
负载失配情况,不过输出功率电平会低许多。 对于目前市场上的几款器件来说,20.0:1 vswr额定值甚至可能有些保守了。例如,恩智浦半导体公司(nxp)至少有一款大功率器件可以承受vswr为65.0:1甚至更高的负载失配,而飞思卡尔半导体 (freescale)正在交付的一系列器件也能在vswr为65.0:1或更高的负载失配条件下正常工作。这两种器件都是硅ldmos晶体管。 nxp在去年于美国马里兰州巴尔的摩市举行的ieee mtt-s国际微波大会(ims 2011)上就发布了型号为blf578xr的首款耐用型晶体管。class ab model blf578xr是该公司的流行型号blf578晶体管的耐用版本,适用于广播和ism频段应用,并可以匹配从高频至500mhz的应用。在100μs脉宽和20%脉冲占空比时,工作在225mhz的blf578xr可以提供1400w的峰值脉冲输出功率。该器件在这些条件下还能达到24db的功率增益和71%的典型漏极效率,并具有集成的静电放电(esd)保护功能。另外,blf578xr在108mhz、连续波状态下可提供1200w的额定输出功率。 为证明 ...