| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 输出功率 | 40 W |
|---|---|---|---|
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V | 漏极连续电流 | 64 A |
| 闸/源击穿电压 | +/- 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-1110A | 封装 | Reel |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 100 |
【NXP Semiconductors】BLF6G10L-260PRN,11,TRANS PWR LDMOS SOT539
【NXP Semiconductors】BLF6G10L-260PRN:11,射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-135R /T3,射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-135R,112,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-135R,118,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-135RN,11,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B