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  • BLF6G10S-45

BLF6G10S-45

产品属性关于NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)
描述射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS增益23 dB
输出功率1 W汲极/源极击穿电压65 V
漏极连续电流13 A闸/源击穿电压13 V
最大工作温度+ 150 C封装 / 箱体SOT-608B
封装Tube最小工作温度- 65 C
安装风格SMD/SMT产品类型MOSFET Power
电阻汲极/源极 RDS（导通）0.2 Ohms工厂包装数量20
零件号别名BLF6G10S-45,112

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