| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFET POWER RF POWER TRANSISTOR | 输出功率 | 60 W |
|---|---|---|---|
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V | 漏极连续电流 | 64 A |
| 闸/源击穿电压 | 11 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-1110A | 封装 | Reel |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 100 |
【NXP Semiconductors】BLF6G15LS-40RN,112,射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor
【NXP Semiconductors】BLF6G15LS-40RN,118,射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor
【NXP Semiconductors】BLF6G15LS-500H,112,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539B
【NXP Semiconductors】BLF6G20-110,112,IC BASESTATION FINAL SOT502A
【NXP Semiconductors】BLF6G20-180PN,112,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT539A
【NXP Semiconductors】BLF6G20-180RN,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502A
【NXP Semiconductors】BLF6G20-230P,IC BASESTATION FINAL SOT502A
【NXP Semiconductors】BLF6G20-230PRN,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A