| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 输出功率 | 65 W |
|---|---|---|---|
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V | 漏极连续电流 | 30 A |
| 闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-539B | 封装 | Reel |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 100 |
【NXP Semiconductors】BLF6G20S-45,112,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT608A
【NXP Semiconductors】BLF6G20S-45,118,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT608B
【NXP Semiconductors】BLF6G21-10G,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT538A
【NXP Semiconductors】BLF6G21-10G,135,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT538
【NXP Semiconductors】BLF6G22-180PN,112,TRANS BASESTATION 2-LDMOST
【NXP Semiconductors】BLF6G22-180PN,135,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A
【NXP Semiconductors】BLF6G22-180RN,112,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A