| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | 漏极连续电流 | 18 A |
|---|---|---|---|
| 闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT502B | 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 65 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品类型 | MOSFET Power | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.24 Ohms |
| 工厂包装数量 | 20 | 零件号别名 | BLF6G22LS-75,112 |
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-75,112,TRANS BASESTATION 2-LDMOST
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-75,118,TRANS BASESTATION 2-LDMOST
【NXP Semiconductors】BLF6G22S-45,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT608B
【NXP Semiconductors】BLF6G24-180PN,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539
【NXP Semiconductors】BLF6G27-10,118,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT975B
【NXP Semiconductors】BLF6G27-100,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502A