您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > blf6g27-135

BLF6G27-135

描述射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS漏极连续电流34 A
闸/源击穿电压13 V最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体SOT502B封装Tube
最小工作温度- 65 C安装风格SMD/SMT
产品类型MOSFET Power电阻汲极/源极 RDS(导通)0.135 Ohms
工厂包装数量20零件号别名BLF6G27-135,112

blf6g27-135的相关型号: