描述 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | 增益 | 16 dB |
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输出功率 | 20 W | 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
漏极连续电流 | 34 A | 闸/源击穿电压 | 13 V |
最大工作温度 | + 150 C | 封装 / 箱体 | SOT-502B |
封装 | Tube | 最小工作温度 | - 65 C |
安装风格 | SMD/SMT | 产品类型 | MOSFET Power |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.135 Ohms | 工厂包装数量 | 20 |
零件号别名 | BLF6G27LS-135,112 |
【NXP Semiconductors】BLF6G27LS-135,112,IC WIMAX 2.7GHZ SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G27LS-135,118,TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G27LS-40P,112,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1121B
【NXP Semiconductors】BLF6G27LS-40P,118,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1121B
【NXP Semiconductors】BLF6G27LS-50BN,112,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
【NXP Semiconductors】BLF6G27LS-50BN,118,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
【NXP Semiconductors】BLF6G27LS-75,112,TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B