描述 | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 输出功率 | 125 W |
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汲极/源极击穿电压 | 65 V | 漏极连续电流 | 14 A |
闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | SOT-1121A | 封装 | Tube |
安装风格 | SMD/SMT | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.15 Ohms |
【NXP Semiconductors】BLF7G20L-160P,118,射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 0.15Ohms
【NXP Semiconductors】BLF7G20L-200,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502
【NXP Semiconductors】BLF7G20L-200,118,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502
【NXP Semiconductors】BLF7G20L-250P,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539
【NXP Semiconductors】BLF7G20L-250P,118,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539
【NXP Semiconductors】BLF7G20L-90P,112,TRANSISTOR PWR LDMOS ACC-4L
【NXP Semiconductors】BLF7G20L-90P,118,TRANSISTOR PWR LDMOS ACC-4L
【NXP Semiconductors】BLF7G20LS-140P,112,TRANSISTOR PWR LDMOS ACC-4L