| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | 输出功率 | 20 W |
|---|---|---|---|
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V | 漏极连续电流 | 12.3 A |
| 闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-1121B | 封装 | Tube |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 20 |
【NXP Semiconductors】BLF7G22LS-100P,118,射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor
【NXP Semiconductors】BLF7G22LS-130,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF7G22LS-130,118,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF7G22LS-160,112,射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor
【NXP Semiconductors】BLF7G22LS-160,118,射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor
【NXP Semiconductors】BLF7G22LS-160B,112,射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor
【NXP Semiconductors】BLF7G22LS-160B,118,射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor
【NXP Semiconductors】BLF7G22LS-200,112,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502