| 针脚数 | 4 | SVHC(高度关注物质) | No SVHC (18-Jun-2012) |
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rf功率晶体管设置了新的效率标准（漏极效率大于50%）、增益（17db）和达500w的耐用度。 恩智浦半导体rf功率产品线全球产品市场经理mark murphy表示：“作为首个推出l波段和s波段应用的ldmos的公司，恩智浦高效ldmos rf功率晶体管产品线建立了一个崭新的业界标准，为我们的客户提供市场上表现最优异和最耐用的晶体管。rf输出功率达到500w这个突破，是恩智浦通力合作、贴近客户需求的结果，使我们推出了可缩短上市时间的易于进行设计导入的晶体管。 恩智浦l波段rf晶体管(bll6h1214-500)的主要表现参数包括： ·500w峰值输出功率（在1.4ghz,100μs脉冲宽度，25%占空比时） ·17db增益 ·50%漏极效率 ·更佳耐用度 ·能够承受高达5db的过驱动能力 ·更佳脉冲顶降 （低于0.2db） ·供电电压50v ·无毒封装、符合rohs标准 恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于l波段雷达设计的ldmos技术优势，其环保的陶瓷封装，可与beo封装互相替代。 上市时间 恩智浦bll6h1214-50 ...
