| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER | 输出功率 | 220 W |
|---|---|---|---|
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V | 漏极连续电流 | 66 A |
| 闸/源击穿电压 | 11 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOM038 (LDMOS) | 封装 | Tray |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 15 |
【NXP Semiconductors】BLS6G2933S-130,112,TRANS S-BAND RADAR LDMOS SOT922
【NXP Semiconductors】BLS6G3135-120,112,TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT502B
【NXP Semiconductors】BLS6G3135-20,112,TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A
【NXP Semiconductors】BLS6G3135S-120,112,TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B
【NXP Semiconductors】BLS6G3135S-20,112,TRANS S-BAND RADAR LDMOS SOT608B