描述 | IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP | 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
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存储容量 | 64K (8K x 8) | 速度 | 150ns |
接口 | 并联 | 电源电压 | 4.5 V ~ 5.5 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C | 封装/外壳 | 28-DIP 模块(0.61",15.49mm) |
供应商设备封装 | 28-DIP 模块(18.42x37.72) | 包装 | 托盘 |
其它名称 | 296-32842-5BQ4010YMA-150-ND |
【Texas Instruments】BQ4010YMA-150N,IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4010YMA-200,IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4010YMA-70N,IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4010YMA-85N,IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4011LYMA-70N,IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4011MA-100,IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP