| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP | 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
|---|---|---|---|
| 存储容量 | 256K (32K x 8) | 速度 | 200ns |
| 接口 | 并联 | 电源电压 | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C | 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm） |
| 供应商设备封装 | 28-DIP 模块（18.42x37.72） | 包装 | 托盘 |
【Texas Instruments】BQ4011YMA-100,IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4011YMA-150,IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4011YMA-150N,IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4011YMA-200,IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4011YMA-70,IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4011YMA-70N,IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28DIP
【Texas Instruments】BQ4013LYMA-70N,IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP