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  • BQ4014YMB-120

BQ4014YMB-120

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性关于Texas Instruments(Texas Instruments,Texas Instruments)
描述IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP存储器类型NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量2M (256K x 8)速度120ns
接口并联电源电压4.5 V ~ 5.5 V
工作温度0°C ~ 70°C封装/外壳32-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
供应商设备封装32-DIP 模块（18.42x52.96）包装管件

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