| 描述 | 64KBIT, SPI BUS, HIGH SPEED WRIT | 存储器类型 | 非易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | EEPROM | 技术 | EEPROM |
| 存储容量 | 64Kb | 存储器组织 | 8K x 8 |
| 存储器接口 | SPI | 时钟频率 | 20 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 3.5ms | 访问时间 | - |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 5.5V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | VSON008X2030 |
【ROHM Semiconductor】BR25L010FJ-WE2,IC EEPROM 1KBIT 5MHZ 8SOP
【ROHM Semiconductor】BR25L010FVJ-WE2,IC EEPROM 1KBIT 5MHZ 8TSSOP
【ROHM Semiconductor】BR25L010FVM-WTR,IC EEPROM SER 1KB SPI BUS 8MSOP
【ROHM Semiconductor】BR25L010FVT-WE2,IC EEPROM 1KBIT 5MHZ 8TSSOP
【ROHM Semiconductor】BR25L010FV-WE2,IC EEPROM SER 1KB SPI BUS 8SSOP
【ROHM Semiconductor】BR25L010F-WE2,IC EEPROM SER 1KB SPI BUS 8SOIC
【ROHM Semiconductor】BR25L020FJ-WE2,IC EEPROM 2KBIT 5MHZ 8SOP