| 描述 | MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.4 欧姆 @ 250mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 包装 | 散装 | 其它名称 | BS107AGOS |
产品型号:bs107ag源漏极间雪崩电压vbr(v):200源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6000最大漏极电流id(on)(a):0.250通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-92/-55~150描述:小信号n沟道to92封装场效应管价格/1片(套):￥1.36 来源:xiangxueqin ...
