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BS850\E9

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:60 V
  • 漏极连续电流:250 A
产品属性
描述MOSFET USE 781-TP0610K电阻汲极/源极 RDS(导通)5 Ohms
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
功率耗散310 W工厂包装数量3000

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