| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 83A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5.6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 100?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5500pF @ 50V | 功率 - 最大 | 78W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 3-WDSON |
| 供应商设备封装 | MG-WDSON-2，CanPAK M? | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSB056N10NN3 G-NDBSB056N10NN3GXUMA1SP000604540 |
