| 描述 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.75 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | PG-TDSON-8 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 19 ns |
| 栅极电荷 Qg | 126 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 96 W | 上升时间 | 33 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 48 nS | 零件号别名 | BSC009NE2LS BSC009NE2LSATMA1 |
