描述 | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.6 毫欧 @ 30A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 173nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 13000pF @ 15V | 功率 - 最大 | 125W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商设备封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | BSC016N03MSGINTR BSC016N03MSGXT SP000311502 |