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  • BSC020N025S G

BSC020N025S G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC020N025S G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 110?A闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds8290pF @ 15V功率 - 最大104W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)包装带卷 (TR)
其它名称BSC020N025SGINTRBSC020N025SGXTSP000095463

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