您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > bsc029n025s g

BSC029N025S G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:25 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET N-CH 25V 24A漏极连续电流24 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0029 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TDSON封装Reel
下降时间6 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2.8 W上升时间8 ns
典型关闭延迟时间33 ns零件号别名BSC029N025SGXT

bsc029n025s g的相关型号: