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  • BSC077N12NS3 G

BSC077N12NS3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC077N12NS3 G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$1.33148
  • 10000$1.29493
  • 25000$1.25316
产品属性
描述MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSONFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C98A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.7 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 110?A闸电荷(Qg) @ Vgs88nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5700pF @ 60V功率 - 最大139W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)包装带卷 (TR)
其它名称BSC077N12NS3 G-NDBSC077N12NS3 GTRBSC077N12NS3GSP000652750

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