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BSC085N025SG

产品属性

描述	MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH	漏极连续电流	35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	13.1 Ohms	配置	Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TDSON	封装	Reel
下降时间	3 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.8 W	上升时间	4 ns
典型关闭延迟时间	18 ns

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