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  • BSC100N10NSF G

BSC100N10NSF G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC100N10NSF G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$1.50514
  • 10000$1.46382
  • 25000$1.4166
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 110?A闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 50V功率 - 最大156W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)包装带卷 (TR)
其它名称BSC100N10NSF G-NDBSC100N10NSF GTRSP000379595

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