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  • BSC12DN20NS3G

BSC12DN20NS3G

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:200 V
  • 闸/源击穿电压:20 V
  • 漏极连续电流:11.3 A

参考价格

  • 数量单价
  • 3710¥4.86
  • 5000¥4.69
  • 10000¥4.50
产品属性
描述MOSFET N-CH 200V 11.3A电阻汲极/源极 RDS(导通)108 mOhms
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PG-TDSON-8封装Reel
正向跨导 gFS(最大值/最小值)12 S, 6 S最小工作温度- 55 C
功率耗散50 W零件号别名BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GXT

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