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  • BSC196N10NS G

BSC196N10NS G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC196N10NS G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.62829
  • 10000$0.60231
  • 25000$0.58578
  • 50000$0.56688
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C45A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.6 毫欧 @ 45A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 42?A闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 50V功率 - 最大78W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8包装带卷 (TR)
其它名称BSC196N10NS G-NDSP000379604

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