| 描述 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | 漏极连续电流 | 100 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 2.2 mOhms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SON-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 9.4 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 100 S |
| 栅极电荷 Qg | 27 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 69 W | 上升时间 | 9 ns |
| 零件号别名 | BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03LSGXT SP000686916 |
