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BSC900N20NS3G

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：200 V
闸/源击穿电压：20 V
漏极连续电流：15.2 A

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参考价格

数量单价
3710￥6.07
5000￥5.85
10000￥5.62

产品属性

描述	MOSFET N-CH 200V 15.2A	电阻汲极/源极 RDS（导通）	77 mOhms
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PG-TDSON-8	封装	Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	16 S, 8 S	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	62.5 W	零件号别名	BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GXT

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