| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT363 | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 950mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 350 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 1.6?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 63pF @ 10V | 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT363-6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSD235N H6327-NDBSD235NH6327XTSA1SP000917652 |
