您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > bsd840nh6327xt
  • BSD840NH6327XT

BSD840NH6327XT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:880 mA

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.69
  • 10¥2.06
  • 100¥1.48
  • 500¥1.04
  • 1000¥0.738
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor电阻汲极/源极 RDS(导通)400 mOhms at 2.5 V
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PG-SOT-23
封装Reel下降时间0.9 nS
栅极电荷 Qg0.26 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散500 mW上升时间2.2 nS
典型关闭延迟时间7.8 nS零件号别名BSD840N BSD840NH6327XTSA1 H6327

bsd840nh6327xt的相关型号: