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BSF024N03LT3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSF024N03LT3 G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.65728
  • 10000$0.632
  • 25000$0.61936
  • 50000$0.60672
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSONFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C106A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.4 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds5500pF @ 15V功率 - 最大2.2W
安装类型表面贴装封装/外壳3-WDSON
供应商设备封装MG-WDSON-2,CanPAK M?包装带卷 (TR)
其它名称BSF024N03LT3 G-NDSP000616988

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