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  • BSH111,215

BSH111,215

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C335mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 欧姆 @ 500mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs1nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds40pF @ 10V
功率 - 最大830mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装TO-236AB
包装带卷 (TR)

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