| 描述 | MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 750mV @ 11μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 1.7nC @ 2.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 259pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 500mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | PG-TSOP6-6 |
