您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > bsm100gar120dn2

BSM100GAR120DN2

制造商：-
产品种类：IGBT 晶体管
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：2.5 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	IGBT 晶体管 1200V 100A DUAL	栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流	100 A	栅极—射极漏泄电流	400 nA
功率耗散	800 W	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	IS6a ( 62 mm )-5	最小工作温度	- 40 C
安装风格	Screw	工厂包装数量	500

bsm100gar120dn2的相关型号：