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BSM10GD120DN2

制造商：-
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

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参考价格

数量单价
1￥278.07
5￥264.34
10￥250.54
50￥214.73

产品属性

描述	IGBT 模块 1200V 10A FL BRIDGE	集电极—射极饱和电压	2.7 V
在25 C的连续集电极电流	15 A	栅极—射极漏泄电流	120 nA
功率耗散	80 W	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	EconoPACK 2	栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
最小工作温度	- 40 C	安装风格	Screw
工厂包装数量	500

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