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BSM150GB120DN2_E3166

制造商：-
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
在25 C的连续集电极电流：210 A

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参考价格

数量单价
5￥1,253.32
10￥1,127.94

产品属性

描述	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 210A	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	62MM	封装	Reel
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V	最小工作温度	- 40 C
安装风格	Screw

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