您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > bsm15gd120dn2e3224
  • BSM15GD120DN2E3224

BSM15GD120DN2E3224

  • 制造商:-
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.5 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥331.06
  • 10¥297.94
产品属性
描述IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A在25 C的连续集电极电流25 A
栅极—射极漏泄电流150 nA功率耗散145 W
最大工作温度+ 150 C封装 / 箱体EconoPACK 2
封装Reel栅极/发射极最大电压20 V
最小工作温度- 40 C安装风格Screw

bsm15gd120dn2e3224的相关型号: