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BSM200GAL120DN2

  • 制造商:-
  • 产品种类:IGBT 模块
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
产品属性
描述IGBT 模块 1200V 200A GAL CH集电极—射极饱和电压2.5 V
在25 C的连续集电极电流290 A栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散1.4 KW最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体HB 200GAL栅极/发射极最大电压20 V
安装风格Screw工厂包装数量500

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