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BSM25GB120DN2

制造商：-
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

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参考价格

数量单价
1￥351.97
10￥316.78

产品属性

描述	IGBT 模块 1200V 25A DUAL	集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	38 A	栅极—射极漏泄电流	180 nA
功率耗散	200 W	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	Half Bridge1	栅极/发射极最大电压	20 V
安装风格	Screw	工厂包装数量	500

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