您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > bsm35gd120dn2e3224

BSM35GD120DN2E3224

制造商：-
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：2.7 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

参考价格

数量单价
1￥447.95
10￥428.49

产品属性

描述	IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A	在25 C的连续集电极电流	50 A
栅极—射极漏泄电流	150 nA	功率耗散	280 W
最大工作温度	+ 150 C	封装 / 箱体	EconoPACK 2
封装	Reel	栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
最小工作温度	- 40 C	安装风格	Screw

bsm35gd120dn2e3224的相关型号：