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BSM50GD60DLCE3226

制造商：-
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.2 V

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参考价格

数量单价
1￥431.87
10￥410.55

产品属性

描述	IGBT 模块 N-CH 600V 70A	在25 C的连续集电极电流	70 A
栅极—射极漏泄电流	400 nA	功率耗散	250 W
最大工作温度	+ 125 C	封装 / 箱体	EconoPACK 2A
封装	Reel	栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
最小工作温度	- 40 C	安装风格	Screw

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