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BSO094N03S

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:10 A
产品属性
描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)9.1 mOhms
配置Single Quad Drain Triple Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体DSO
封装Reel下降时间4.4 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1560 mW
上升时间4.4 ns典型关闭延迟时间22 ns

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