| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 21 毫欧 @ 8.9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 100?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 69nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1754pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.35W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | BSO303SPTBSO303SPXTINTRSP000014019 |
