| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 11.1A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.1A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 42?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1280pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装 | 8-SO | 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | BSO4410INCT |
