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  • BSO612CV

BSO612CV

  • 制造商:-
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:SIPMOS?
  • FET 型:N 和 P 沟道
产品属性
描述MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOICFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A,2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 20?A
闸电荷(Qg) @ Vgs15.5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds340pF @ 25V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装P-DSO-8
包装带卷 (TR)其它名称BSO612CVINTRSP000012292

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